Samsung startet Massenproduktion von leistungsstarkem 128gigabit 3bit Multi-Level-Cell NAND-Flash-Memory (BILD)

Seoul, Korea (ots) -

Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer im Bereich
Memory-Technologie, hat soeben mit der Massenproduktion seines
128gigabit (Gb), 3bit Multi-Level-Cell (MLC) NAND-Memory-Chips in
10nanometer (nm)-Class*-Prozesstechnologie begonnen. Der innovative
Chip wird Memory-Lösungen mit hoher Packungsdichte (High-Density) wie
zum Beispiel Embedded NAND Storage und SSDs (Solid State Drives)
ermöglichen.

"Durch die Markteinführung von Memory-Storage-Produkten der
nächsten Generation, wie der 128Gb NAND-Chip, sind wir optimal
positioniert, um die steigenden Anforderungen der Kunden weltweit zu
erfüllen," sagt Young-Hyun Jun, Executive Vice President, Memory
Sales & Marketing, Device Solutions Division, Samsung Electronics.
"Der brandneue Chip ist ein wichtiges Produkt in der Evolution von
NAND-Flash-Memory. Sein planmäßiger Produktionsbeginn wird uns
ermöglichen, unsere Wettbewerbsfähigkeit auf dem Markt für
Memory-Storage-Lösungen mit hoher Packungsdichte zu stärken."

Samsungs 128Gb NAND-Flash-Memory basiert auf einem 3bit
Multi-Level-Cell Design und 10nm-Class Prozesstechnologie. Es bietet
die branchenweit höchste Packungsdichte sowie die höchste
Datenübertragungsrate von 400Mbit/s, basierend auf der Toggle DDR 2.0
Schnittstelle.

Mit Hilfe von 128Gb NAND-Flash-Memory wird Samsung sein Angebot an
128gigabyte (GB) Speicherkarten weiter ausbauen. Diese können bis zu
16 Full HD-Videos mit jeweils 8GB speichern. Samsung wird jetzt auch
sein Produktionsvolumen von SSDs mit Kapazitäten von 500GB erhöhen
und damit den Einsatz von SSDs in Computersystemen vorantreiben.
Zugleich führt das Unternehmen den Übergang bei Speichern für
Notebooks von klassischen Festplatten (HDDs) zu Festplatten auf
Halbleiterbasis (SSDs) an.

Die Nachfrage nach leistungsstarkem 3bit MLC NAND-Flash-Memory und
Speicherkapazitäten von 128Gb ist stark gestiegen und treibt die
Nutzung von SSDs mit mehr als 250GB Speichervolumen voran. Allen
voran die Serie SSD 840 von Samsung.

Samsung hat im November 2012 mit der Produktion von 64Gb MLC
NAND-Flash-Memory in 10nm-Class-Technologie begonnen. Weniger als
fünf Monate später hat das Unternehmen mit dem neuen 128Gb
NAND-Flash-Memory sein Angebot an Speicherlösungen mit hohem
Speichervolumen erweitert. Der neue 128Gb-Chip erweitert zusammen mit
dem 20nm-Class* 64Gb 3bit NAND-Flash-Chip, der 2010 auf den Markt
kam, auch Samsungs Angebot an 3bit NAND-Memory. Darüber hinaus bietet
der neue 128Gb 3bit MLC NAND-Chip mehr als die doppelte Produktivität
eines 64Gb MLC NAND-Chips in 20nm-Class-Technologie.

Samsung plant, auch in Zukunft führende Halbleiterspeicher (SSDs)
und Embedded-Memory-Speicherlösungen mit qualitativ hochwertigen
Leistungsmerkmalen auf den Markt zu bringen. So möchte das
Unternehmen dem Wachstum des Premium-Speichersegments neue Dynamik
verleihen.

Über Samsung Electronics Co. Ltd. Samsung Electronics Co. Ltd. ist
ein weltweit führender Anbieter von Technologie, die Menschen überall
neue Möglichkeiten eröffnet. Durch kontinuierliche Innovation und
Marktbeobachtung transformiert das Unternehmen die Welten der
Fernsehgeräte, Smartphones, PCs, Drucker, Kameras, Haushaltsgeräte,
LTE-Systeme, Medizingeräte, Halbleiter und LED-Lösungen. Bei Samsung
Electronics Co. Ltd. sind 236.000 Menschen in 79 Ländern beschäftigt.
Der jährliche Umsatz des Unternehmens beträgt über US$187,8 Mrd. Für
mehr Informationen besuchen Sie bitte www.samsung.com.

Über Samsung Semiconductor Europe

Samsung Semiconductor Europe, eine Tochtergesellschaft von Samsung
Electronics Co. Ltd. Seoul, Korea, mit Sitz in Eschborn bei
Frankfurt/Main unterhält Büros in ganz Europa und in der Region EMEA
(Middle East & Africa). Der europäische Hauptsitz ist für die
Marketing- und Verkaufsaktivitäten der Component Business Units von
Samsung Electronics zuständig. Dazu gehören die Bereiche Memory,
System LSI, LED und Display Business in EMEA. Für mehr Informationen
besuchen Sie bitte www.samsung.com/semiconductor.

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*Hinweis für Redakteure: 10nm-Class bedeutet eine
Prozesstechnologie mit Halbleiterstrukturen zwischen 10 und 20
Nanometer. 20nm-Class bedeutet eine Prozesstechnologie mit
Halbleiterstrukturen zwischen 20 und 30 Nanometer.

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