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Samsung startet Massenproduktion der industrieweit ersten 6 Gb LPDDR3 Mobile DRAMs in 20 nm-Technologie (FOTO)

Geschrieben am 18-09-2014

SEOUL, Korea (ots) -

Samsung startet Massenproduktion der industrieweit ersten 6 Gb
LPDDR3 Mobile DRAMs in 20 nm-Technologie

Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei innovativer
Speichertechnologie, hat mit der Massenproduktion seines 6 Gb
(Gigabit) Low-Power Double Data Rate 3 (LPDDR3) Mobile DRAM in 20
Nanometer (nm) Prozesstechnologie begonnen. Beim Einsatz des
hocheffizienten Mobile Memory Chips in Mobilgeräten mit größeren
Displays lassen sich die Batterielaufzeit verlängern und Anwendungen
schneller als bisher laden.

"Unser 6Gb LPDDR3 DRAM in 20 nm-Technologie repräsentiert die
fortschrittlichste Mobile-Memory-Lösung für den rasch wachsenden
Markt leistungsstarker Mobile DRAMs," sagt Jeeho Baek, Vice
President, Memory Marketing, Samsung Electronics. "Wir arbeiten
intensiv mit unseren Kunden zusammen, um Mobile-Memory-Lösungen der
nächsten Generation anbieten zu können, die sich für ein noch
größeres Spektrum an Märkten - von Premium bis hin zu
Standard-Segmenten - eignen."

Für Samsungs 6 Gb LPDDR3 ist eine Pro-Pin Datenübertragungsrate
von bis zu 2.133 Mbit/s spezifiziert. Ein 3 GB (gigabyte) LPDDR3
Package mit vier 6 Gb LPDDR3 Chips kann auf einfache Weise für den
Einsatz in einem breiten Spektrum an Mobilgeräten realisiert werden.
Auch stärkt das Package unser Produktportfolio für mobile Anwendungen
der Premium-Klasse enorm.

Das neue 3 GB Package ist gegenüber dem derzeit verfügbaren 3 GB
Package mit 6 Gb LPDDR3 Chips, gefertigt in Samsung bisheriger
Prozesstechnologie, über 20 Prozent kleiner und verbraucht etwa zehn
Prozent weniger Energie. Dies resultiert in einem Mobile Memory, das
extrem klein, unglaublich dünn, beeindruckend schnell und wesentlich
leistungseffizienter ist.

Mit dem neuen 20-Nanometer-Prozess von Samsung lässt sich,
verglichen mit dem bisherigen Prozess, auch ein Produktivitätsgewinn
von über 30 Prozent erzielen. Samsung hat seine 20 nm-Technologie
erstmals in der Branche im März für 4 Gb DDR3 für PCs eingesetzt. Nun
hat das Unternehmen den Einsatz dieser Technologie auf seine Mobile
DRAMs ausgedehnt.

In Zukunft möchte Samsung noch innovativere 20 nm Mobile DRAM
Produkte vorstellen, um sein Angebot weiter zu stärken und seine
führende Rolle im Bereich High-Density Mobile DRAMs beizubehalten,
während sich der Markt um Smartphones mit noch mehr Funktionen,
High-End Tablets und "Wearables" erweitert.

Über Samsung Electronics Co., Ltd.

Samsung Electronics Co. Ltd. ist ein weltweit führender Anbieter
von Technologie, die Menschen überall neue Möglichkeiten eröffnet.
Durch kontinuierliche Innovation und Marktbeobachtung transformiert
das Unternehmen die Welten der Fernsehgeräte, Smartphones, Tablets,
PCs, Kameras, Haushaltsgeräte, Drucker, LTE-Systeme, Medizingeräte,
Halbleiter und LED-Lösungen. Bei Samsung Electronics Co. Ltd. sind
286000 Menschen in 80 Ländern beschäftigt. Der jährliche Umsatz des
Unternehmens beträgt über US$216,7 Mrd. Für mehr Informationen
besuchen Sie bitte www.samsung.com.

Über Samsung Semiconductor Europe

Samsung Semiconductor Europe, eine Tochtergesellschaft von Samsung
Electronics Co. Ltd. Seoul, Korea, mit Sitz in Eschborn bei
Frankfurt/Main unterhält Büros in ganz Europa und in der Region EMEA
(Middle East & Africa). Der europäische Hauptsitz ist für die
Marketing- und Verkaufsaktivitäten der Component Business Units von
Samsung Electronics zuständig. Dazu gehören die Bereiche Memory,
System LSI, LED und Display Business in EMEA. Für mehr Informationen
besuchen Sie bitte www.samsung.com/semiconductor.

Samsung und das stilisierte Samsung Design sind Warenzeichen und
Servicebezeichnungen von Samsung Electronics Co. Ltd. andere
Warenzeichen befinden sich im Besitz ihrer jeweiligen Eigentümer.



Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an:
Ujeong Jahnke
Samsung Semiconductor Europe GmbH
Tel. +49(0)6196-66-3300, Fax +49(0)6196-66-23525
Email: ujeong.j@samsung.com


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