Innodisk erreicht mit IoT-fähigem SODIMM und einer umfassenden Palette an sulfurierungshemmenden Funktionen einen gewaltigen Durchbruch in der DRAM-Forschung

Das temperaturtolerante DDR4 2666 SODIMM in Industriequalität ist
bereit für den Einsatz mit Edge-Geräten, während
sulfurierungshemmende Maßnahmen für alle DDR4 Module implementiert
werden.

Taipeh, Taiwan (ots/PRNewswire) - Innodisk ergreift Maßnahmen zur
Verbesserung seines DRAM-Portfolios, um mit der unablässigen
Entwicklung des Internets der Dinge mithalten zu können und den
Herausforderungen rauer Umgebungsbedingungen gewachsen zu sein. Die
neue DDR4 2666 SODIMM-Serie bietet eine maßgeschneiderte Lösung für
Edge-Geräte und kann aufgrund ihres Industriedesigns große
Temperaturschwankungen bewältigen. Die Schwefelbelastung, die in
vielen Industriebereichen augenscheinlich wird, stellt eine weitere
besorgniserregende Tendenz dar. Durch die Implementierung
umfangreicher Funktionen zur Sulfurierungshemmung in sämtlichen
DDR4-Modulen versucht Innodisk dieser den Kampf anzusagen.

Edge-Computing zählt zu den integralen Konzepten des Internets der
Dinge. Die On-Site-Vorrichtung ist für Analytik und Datenverarbeitung
zuständig und kann so die Bandbreite zum zentralen Server verringern.
Dennoch bedeutet dieses Ausgleichen der Rechenleistung eine
Verlagerung zunehmend leistungsfähigerer Komponenten in entlegene
Gebiete. Anwendungen wie Smart-City-Lösungen, petrochemische
Einrichtungen oder Bergbauanlagen sind allesamt schwierigen Wetter-
und Temperaturbedingungen sowie Schadstoffbelastungen ausgesetzt.
Vor diesem Hintergrund kommt das hochzuverlässige 2666 MT/s DDR4 WT
SODIMM zum Einsatz und macht das Internet der Dinge selbt unter
rauesten und schwierigsten Umgebungsbedingungen möglich.

Sulfidgase stellen in derartigen Umgebungen einen weiteren
Risikofaktor dar. Sie entstehen überwiegend durch
Umweltverschmutzung, Bergbau oder Öl- und Gasförderaktivitäten und
können sich schädigend auf DRAM-Module auswirken. Selbst in geringer
Konzentration reagiert das Sulfid mit Silberlegierungen innerhalb der
Chips und beeinträchtigt die Leistungsfähigkeit, was letztendlich zu
Produktversagen führen kann. Berichten zufolge stellt Sulfurierung in
Datenzentren, wo parallel zum Lufteinlass auch Schadstoffe aus der
Umgebung angesaugt werden, ein schwerwiegendes Problem dar.

Samson Chang, VP der Global Embedded and Server DRAM Business Unit
von Innodisk, erklärt: "Wir sind der Überzeugung, dass
sulfurierungshemmende Maßnahmen angesichts der weltweit steigenden
Umweltverschmutzung eine Notwendigkeit im Industrie- und
Embedded-Bereich darstellen. Aufgrund dessen wird Innodisk ab Juni
2018 umfassende Anti-Sulfurierungs-Schutzvorkehrungen für sämtliche
DDR4-Module einführen. Unser Ziel ist es, diese Handlungsweise zu
einem neuen Standard werden zu lassen, um den besorgniserregenden
Tendenzen gewachsen zu sein. Mit diesem Vorhaben wenden wir uns nicht
nur den Herausforderungen unserer Kunden zu, sondern übertreffen
gleichzeitig sämtliche Industrieerwartungen, wodurch unsere Rolle als
weltweit führender DRAM-Anbieter weiter gefestigt wird."

Pressekontakt:
Yvonne Liu
Innodisk Corporation
+886 277033000 ext.1515
Yvonne_Liu@innodisk.com

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