Samsung startet Massenproduktion des industrieweit ersten 3D Vertical NAND Flash Memories (BILD)

Seoul, Korea (ots) -

Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei innovativer
Speichertechnologie, hat mit der Massenproduktion des industrieweit
ersten dreidimensionalen (3D) Vertical NAND (V-NAND) Flash Memory
begonnen. Das neue 3D V-NAND Flash Memory durchbricht die aktuelle
Skalierungsgrenze bestehender NAND-Flash-Technologie und bietet
Verbesserungen hinsichtlich Leistungsfähigkeit und Platzbedarf.
Eingesetzt wird das neue 3D V-NAND Flash Memory in einer Vielzahl an
Anwendungen aus den Bereichen Unterhaltungselektronik und
Enterprise-Systeme wie zum Beispiel Embedded NAND Storage und Solid
State Drives (SSDs).

Samsungs neues V-NAND bietet 128 Gigabit (GB) Speicherkapazität
auf nur einem Chip. Es nutzt die proprietäre vertikale Zellenstruktur
des Unternehmens, basierend auf 3D Charge Trap Flash (CTF)
Technologie und vertikaler Interconnect-Prozesstechnologie zur
Verbindung des 3D Zellenarrays. Indem Samsung die beiden Technologien
einsetzt, kann das 3D V-NAND mehr als die doppelte Skalierung
erreichen wie 20nm-Class* Planar NAND Flash Memory.

"Die neue 3D V-NAND Flash Technologie ist das Ergebnis jahrelanger
Anstrengungen unserer Mitarbeiter, herkömmliche Wege des Denkens zu
verlassen und wesentlich innovativere Konzepte zu verfolgen, mit
denen sich bisherige Grenzen bei der Entwicklung von Technologie für
Halbleiterspeicher überwinden lassen", sagt Jeong-Hyuk Choi, Senior
Vice President, Flash Product & Technology, Samsung Electronics. "Im
Anschluss an die weltweit erste Massenproduktion von 3D Vertical NAND
werden wir weiterhin 3D V-NAND Produkte mit höherer
Leistungsfähigkeit und noch mehr Speicherkapazität auf den Markt
bringen. Diese werden zum weiteren Wachstum der weltweiten
Speicherbranche beitragen".

Seit 40 Jahren basiert Flash Memory auf planaren Strukturen mit
Floating Gates. Während die Strukturen der Prozesstechnologie zur
Herstellung von Flash Memory in die 10nm-Class* und darüber
entwickelt werden konnten, entstanden Bedenken hinsichtlich einer
Skalierungsgrenze in Folge der Zelle-zu-Zelle-Interferenz. Diese
bewirkt einen Kompromiss bei der Zuverlässigkeit von NAND Flash
Produkten. Außerdem führte dies zu längeren Entwicklungszeiten und
höheren Kosten.

Samsungs neues V-NAND meistert technische Herausforderungen wie
diese, indem es neue Maßstäbe hinsichtlich Innovation bei
Schaltkreisen, Struktur und Fertigungsprozess setzt. Auf dieser Basis
konnte ein vertikales Stapeln (Stacking) planarer Zellenlayer für
eine neue 3D-Struktur erfolgreich entwickelt werden. Um dies zu tun,
überarbeitete Samsung seine CTF-Architektur, die erstmals 2006
entwickelt wurde. Bei Samsungs CTF-basierter NAND Flash Architektur
wird eine elektrische Ladung temporär in eine Haltekammer des nicht
leitenden Flash Layers platziert, der statt ein Floating Gate zur
Verhinderung von Interferenzen zwischen benachbarten Zellen aus SiN
(Silizium-Nitrid) besteht.

Indem dieser CTF-Layer dreidimensional gemacht wurde, haben sich
die Zuverlässigkeit und die Geschwindigkeit von NAND Memory deutlich
erhöht. Das neue 3D V-NAND zeigt nicht nur eine minimal um das
Zweifache und maximal um das Zehnfache höhere Zuverlässigkeit,
sondern erreicht gegenüber 10nm-Class Floating Gate NAND Flash Memory
auch die doppelte Schreibgeschwindigkeit.

Eine der wichtigsten technologischen Leistungen des neuen Samsung
V-NAND ist, dass man die proprietäre vertikale Interconnect
Prozesstechnologie des Unternehmens bis zu 24 Zellenlayer vertikal
übereinander stapeln kann. Dazu wird eine spezielle Ätztechnologie
verwendet, die die Layer elektronisch verbindet, indem Löcher vom
obersten zum untersten Layer gestanzt werden. Mit der neuen
vertikalen Struktur kann Samsung NAND Flash Memory Produkte mit
höherer Speicherkapazität realisieren. Dazu wird die Zahl der 3D
Zellenlayer ohne planare Skalierung erhöht. Dies war bisher nur
schwer erreichbar.

Nach fast zehn Jahren Forschungsarbeit an 3D Vertical NAND hat
Samsung heute über 300 zur Patentierung eingereichte 3D Memory
Technologien weltweit. Mit dem industrieweit ersten voll
funktionsfähigen 3D Vertical NAND Memory hat Samsung seine
Wettbewerbsfähigkeit in der Memory Branche gestärkt und zugleich die
Grundlage für noch innovativere Produkte wie 1 Terabit (Tb) NAND
Flash gelegt. Gleichzeitig ist es Samsung gelungen, dem
Industriewachstum neue Dynamik zu verleihen.

IHS iSuppli geht davon aus, dass der weltweite Markt für NAND
Flash Memory bis Ende 2016 einen Umsatz von etwa US $30,8 Mrd.
erreicht. Bei einem Umsatz von US $23,6 Mrd. im Jahr 2013 entspricht
dies einem Wachstum von durchschnittlich 11 Prozent pro Jahr. Damit
ist NAND Flash Memory der führende Wachstumstreiber der
Speicherbranche.

Über Samsung Electronics Co., Ltd.

Samsung Electronics Co. Ltd. ist ein weltweit führender Anbieter
von Technologie, die Menschen überall neue Möglichkeiten eröffnet.
Durch kontinuierliche Innovation und Marktbeobachtung transformiert
das Unternehmen die Welten der Fernsehgeräte, Smartphones, PCs,
Drucker, Kameras, Haushaltsgeräte, LTE-Systeme, Medizingeräte,
Halbleiter und LED-Lösungen. Bei Samsung Electronics Co. Ltd. sind
236.000 Menschen in 79 Ländern beschäftigt. Der jährliche Umsatz des
Unternehmens beträgt über US$187,8 Mrd. Für mehr Informationen
besuchen Sie bitte www.samsung.com.

Über Samsung Semiconductor Europe

Samsung Semiconductor Europe, eine Tochtergesellschaft von Samsung
Electronics Co. Ltd. Seoul, Korea, mit Sitz in Eschborn bei
Frankfurt/Main unterhält Büros in ganz Europa und in der Region EMEA
(Middle East & Africa). Der europäische Hauptsitz ist für die
Marketing- und Verkaufsaktivitäten der Component Business Units von
Samsung Electronics zuständig. Dazu gehören die Bereiche Memory,
System LSI, LED und Display Business in EMEA. Für mehr Informationen
besuchen Sie bitte www.samsung.com/semiconductor.

* Hinweis für Redakteure: 10-nanometer-Class bedeutet eine
Prozesstechnologie mit Halbleiterstrukturen zwischen 10 und 20
Nanometer. 20-nanometer-Class bedeutet eine Prozesstechnologie mit
Halbleiterstrukturen zwischen 20 und 30 Nanometer.

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Servicebezeichnungen von Samsung Electronics Co. Ltd. andere
Warenzeichen befinden sich im Besitz ihrer jeweiligen Eigentümer.

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