Samsung stellt weltweit erste 3D V-NAND-basiertes SSD für Enterprise-Anwendungen vor (BILD)

Santa Clara, CA (ots) -

Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei innovativer
Speichertechnologie, stellte heute die erste SSD (Solid State Drive)
auf Basis seiner industrieweit führenden 3D V-NAND-Technologie vor.
Samsung kündigte seine neue SSD, entwickelt für den Einsatz in
Enterprise-Servern, in einer Keynote auf dem Flash Memory Summit 2013
an.

"Durch die Anwendung unseres 3D V-NAND, welches die erhebliche
Hürde bei der Skalierung über die 10-nanometer (nm) Class* hinaus
überwunden hat, bieten wir unseren weltweiten Kunden eine hohe
Speicherdichte, eine außerordentliche Zuverlässigkeit, eine über 20
Prozent höhere Leistungsfähigkeit und eine Verbesserung im
Energieverbrauch von über 40 Prozent", sagte E.S. Jung, Executive
Vice President, Semiconductor R&D Center bei Samsung Electronics und
Hauptredner auf dem Flash Memory Summit. "Als Pionier eines neuen
Zeitalters der Speichertechnologie werden wir weiterhin
differenzierte, 'Green Memory' Produkte und Lösungen für Server sowie
für Mobilgeräte und den PC-Markt anbieten, um die
Energieverschwendung zu reduzieren und neue Werte im Unternehmen und
für die Endverbraucher zu schaffen."

Samsungs V-NAND SSD gibt es in 960 Gigabyte (GB) und 480 GB
Versionen. Die 960 GB-Version erreicht das höchste Leistungsniveau
und bietet eine über 20 Prozent höhere sequential und random
Schreibgeschwindigkeit. Verwendet werden 64 Dies mit MLC 3D V-NAND
Flash mit jeweils 128 Gigabit (Gb) Speicher mit einem 6 Gigabit pro
Sekunde (Gbps) schnellen SATA-Schnittstellen-Controller. Die neue
V-NAND SSD bietet auch 35.000 Programmlöschzyklen und wird in einem
2,5-Zoll-Formfaktor mit x, y und z-Höhen von 10 cm, 7 cm und 7 mm
angeboten. Dies bietet Server-Herstellern mehr Flexibilität bei der
Entwicklung und Skalierbarkeit.

Samsungs proprietäre 3D V-NAND-Technologie erreicht gegenüber dem
planaren NAND-Flash der 20nm-Class* die doppelte
Fertigungsproduktivität, unter Verwendung von zylinderförmigen 3D
Charge Trap Flash Zellenstrukturen und vertikaler
Interconnect-Prozesstechnologie zur Verbindung der 24 Schichten der
3D-Zellenmatrix.

Während seiner Rede betonte EVP E.S. Jung, "die 3D V-NAND wird
grundlegende Innovation vorantreiben, die sich mit dem 'Digitalen
Urknall' in der globalen IT-Industrie vergleichen lässt und zu einem
wesentlichen Wachstum des Speichermarktes beitragen wird."

Samsung wird auch künftig V-NAND-Produkte der nächsten Generation
vorstellen, die eine noch höhere Leistungsfähigkeit erreichen, um
diverse Kundenanforderungen für NAND Flash-basiertes Speicherlösungen
zu erfüllen. Der Kundefokus wird dabei auf großen Rechenzentren, die
mit höheren Investitionen eine bessere Performance und
Energieeffizienz realisieren können, bis hin zu PC-Anwendungen, die
auf Kosteneffizienz und hohe Speicherdichte setzen, liegen, um so die
Wettbewerbsfähigkeit von Samsung weiter zu stärken.

Samsung sagte, man habe Anfang des Monats mit der Produktion der
neuen V-NAND SSDs begonnen.

Über Samsung Electronics Co., Ltd.

Samsung Electronics Co. Ltd. ist ein weltweit führender Anbieter
von Technologie, die Menschen überall neue Möglichkeiten eröffnet.
Durch kontinuierliche Innovation und Marktbeobachtung transformiert
das Unternehmen die Welten der Fernsehgeräte, Smartphones, PCs,
Drucker, Kameras, Haushaltsgeräte, LTE-Systeme, Medizingeräte,
Halbleiter und LED-Lösungen. Bei Samsung Electronics Co. Ltd. sind
236.000 Menschen in 79 Ländern beschäftigt. Der jährliche Umsatz des
Unternehmens beträgt über US$187,8 Mrd. Für mehr Informationen
besuchen Sie bitte www.samsung.com.

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Samsung Semiconductor Europe, eine Tochtergesellschaft von Samsung
Electronics Co. Ltd. Seoul, Korea, mit Sitz in Eschborn bei
Frankfurt/Main unterhält Büros in ganz Europa und in der Region EMEA
(Middle East & Africa). Der europäische Hauptsitz ist für die
Marketing- und Verkaufsaktivitäten der Component Business Units von
Samsung Electronics zuständig. Dazu gehören die Bereiche Memory,
System LSI, LED und Display Business in EMEA. Für mehr Informationen
besuchen Sie bitte www.samsung.com/semiconductor.

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* Hinweis für Redakteure: 10-Nanometer-Class bedeutet eine
Prozesstechnologie mit Halbleiterstrukturen zwischen 10 und 20
Nanometer. 20-Nanometer-Class bedeutet eine Prozesstechnologie mit
Halbleiterstrukturen zwischen 20 und 30 Nanometer.

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