Samsung startet Massenproduktion des industrieweit fortschrittlichsten 4Gb DDR3 in 20 Nanometer Prozesstechnologie (FOTO)

Seoul, Korea (ots) -

Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer im Bereich
Memory-Technologie, hat mit der Massenproduktion des
fortschrittlichsten DDR3 Memory in einer neuen 20 Nanometer (nm)
Prozesstechnologie begonnen. Das neue Memory wurde für den Einsatz in
zahlreichen Computing-Anwendungen entwickelt.

Samsung hat die Skalierung bei DRAMs extrem ausgereizt und
zugleich aktuell verfügbare Immersion ArF Lithografie genutzt, um
sein industrieweit am weitesten entwickeltes 20 Nanometer DDR3 DRAM
mit 4 Gigabit (Gb) zu realisieren.

Bei DRAM Memory, bei dem jede Zelle aus einem Kondensator und
einem mit diesem verbundenen Transistor besteht, ist die Skalierung
schwieriger als bei NAND Flash Memory, bei dem eine Zelle nur einen
Transistor benötigt. Um die Skalierung bei fortschrittlicheren DRAMs
weiter zu führen, hat Samsung seine Design- und
Fertigungstechnologien überarbeitet und ein modifiziertes Verfahren
hervorgebracht, welches aus Doppelstrukturierung (Double Patterning)
und Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition oder ALD) besteht.

Samsungs modifizierte Technologie der Doppelstrukturierung setzt
einen neuen Meilenstein, indem sie der 20nm DDR3 Produktion mit
herkömmlichen Fotolitografiegeräten ermöglicht, die Core-Technologie
für die nächste Generation der 10nm-Class DRAM Produktion zu
realisieren. Samsung hat außerdem ultradünne dielektrische Schichten
(Layer) mit Zellenkondensatoren und einzigartiger Regelmäßigkeit
realisiert und so eine höhere Leistungsfähigkeit der Zellen erzielt.

Bei dem neuen, diese Technologien nutzenden 20nm DDR3 DRAM hat
Samsung auch die Produktivität in der Fertigung gesteigert. Diese ist
über 30 Prozent höher als die beim bisherigen 25 Nanometer DDR3 und
über doppelt so hoch wie bei 30nm-Class* DDR3.

Darüber hinaus lassen sich mit den neuen 20nm 4Gb DDR3 Modulen bis
zu 25 Prozent Energie gegenüber der 25nm-Technologie einsparen. Diese
Verbesserung bildet die Grundlage, um globale Unternehmen mit den
industrieweit fortschrittlichsten 'Green IT'-Lösungen zu beliefern.

"Unser neues energieeffizientes 20 Nanometer DDR3 DRAM wird seinen
Marktanteil in der gesamten IT-Branche, inklusive PC- und
Mobilgeräte-Märkte, sehr rasch ausdehnen und schnell den
Mainstream-Status erlangen", sagt Young-Hyun Jun, Executive Vice
President, Memory Sales and Marketing, Samsung Electronics. "Wir
werden auch künftig DRAM- und 'Green' Memory-Lösungen der nächsten
Generation vor dem Wettbewerb liefern. Gleichzeitig werden wir in
enger Zusammenarbeit mit unseren Hauptkunden zum Wachstum des
globalen IT-Marktes beitragen."

Das Marktforschungsunternehmen Gartner geht davon aus, dass der
weltweite DRAM-Markt von $35,6 Mrd. im Jahr 2013 bis 2014 auf $37,9
Mrd. wächst.

Über Samsung Electronics Co., Ltd.

Samsung Electronics Co. Ltd. ist ein weltweit führender Anbieter
von Technologie, die Menschen überall neue Möglichkeiten eröffnet.
Durch kontinuierliche Innovation und Marktbeobachtung transformiert
das Unternehmen die Welten der Fernsehgeräte, Smartphones, Tablets,
PCs, Kameras, Haushaltsgeräte, Drucker, LTE-Systeme, Medizingeräte,
Halbleiter und LED-Lösungen. Bei Samsung Electronics Co. Ltd. sind
286000 Menschen in 80 Ländern beschäftigt. Der jährliche Umsatz des
Unternehmens beträgt über US$216,7 Mrd. Für mehr Informationen
besuchen Sie bitte www.samsung.com.

Über Samsung Semiconductor Europe

Samsung Semiconductor Europe, eine Tochtergesellschaft von Samsung
Electronics Co. Ltd. Seoul, Korea, mit Sitz in Eschborn bei
Frankfurt/Main unterhält Büros in ganz Europa und in der Region EMEA
(Middle East & Africa). Der europäische Hauptsitz ist für die
Marketing- und Verkaufsaktivitäten der Component Business Units von
Samsung Electronics zuständig. Dazu gehören die Bereiche Memory,
System LSI, LED und Display Business in EMEA. Für mehr Informationen
besuchen Sie bitte www.samsung.com/semiconductor.

* Hinweis für Redakteure: 10nm-Class bedeutet eine
Prozesstechnologie mit Halbleiterstrukturen zwischen 10 und 20
Nanometer. 30nm-Class bedeutet eine Prozesstechnologie mit
Halbleiterstrukturen zwischen 30 und 40 Nanometer.

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Servicebezeichnungen von Samsung Electronics Co. Ltd. andere
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